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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MMBTH10-4LT1G
MMBTH10-4LT1G PDF预览

MMBTH10-4LT1G

更新时间： 2024-01-07 17:03:14
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 128K
描述
VHF/UHF Transistor

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MMBTH10-4LT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：0.55
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/1101866.2.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1101866
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=11018663D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1101866
Samacsys PartID：1101866Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/MMBTH10-4LT1G.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/MMBTH10-4LT1G.jpgSamacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 ISSUE ASSamacsys Released Date：2019-02-03 13:59:46
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.025 A
基于收集器的最大容量：0.7 pF集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：800 MHzBase Number Matches：1

MMBTH10-4LT1G 数据手册

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MMBTH10LT1G,  
MMBTH10-4LT1G  
VHF/UHF Transistor  
NPN Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
COLLECTOR  
3
Compliant  
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
2
EMITTER  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
30  
V
EBO  
3.0  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
1
Symbol  
Max  
Unit  
2
Total Device Dissipation  
P
D
FR−5 Board (Note 1)  
SOT−23 (TO−236AB)  
CASE 318  
T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
STYLE 6  
Thermal Resistance,  
R
θ
JA  
556  
°C/W  
Junction to Ambient (Note 1)  
MARKING DIAGRAMS  
Total Device Dissipation  
P
D
Alumina Substrate (Note 2)  
3EM MG  
3E4 MG  
T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
G
G
Derate above 25°C  
Thermal Resistance,  
R
θ
JA  
417  
°C/W  
Junction to Ambient (Note 2)  
MMBTH10LT1G  
MMBTH10−04LT1G  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
3EM, 3E4= Specific Device Code  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBTH10LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000/Tape &  
Reel  
MMBTH10LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10000/Tape &  
Reel  
MMBTH10−4LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000/Tape &  
Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
August, 2009 − Rev. 3  
MMBTH10LT1/D  
 
12345

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