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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 0.44 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.025 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.7 pF | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 650 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBTH10 | ONSEMI |
完全替代  |
NPN 射频晶体管 |
|
| MMBTH10LT3G | ONSEMI |
类似代替 |
VHF/UHF Transistor |
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| MMBTH10LT1 | ONSEMI |
类似代替 |
VHF/UHF Transistor (NPN Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBTH10LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO |
|
| MMBTH10LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
VHF/UHF Transistor |
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| MMBTH10L-X-AE3-CR | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
|
| MMBTH10L-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
|
| MMBTH10L-X-AL3-R | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
|
| MMBTH10L-X-AN3-R | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
|
| MMBTH10M3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN VHF/UHF Transistor |
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| MMBTH10Q | DIODES |
获取价格 |
NPN, 25V, 0.05A, SOT23 |
|
| MMBTH10RG | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN RF Transistor |
|
| MMBTH10RG | ONSEMI |
获取价格 |
NPN RF晶体管 |
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