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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MMBTH10
MMBTH10 PDF预览

MMBTH10

更新时间： 2023-06-19 14:33:13
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 射频光电二极管小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
NPN 射频晶体管

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MMBTH10 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.01
基于收集器的最大容量：0.65 pF集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：650 MHz
Base Number Matches：1

MMBTH10 数据手册

 浏览型号MMBTH10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTH10的Datasheet PDF文件第3页 
MPSH10  
Preferred Device  
VHF/UHF Transistors  
NPN Silicon  
Features  
• Pb−Free Packages are Available*  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
25  
Vdc  
BASE  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
30  
Vdc  
Vdc  
3.0  
2
EMITTER  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
350  
2.8  
W
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
W
mW/°C  
C
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
TO−92  
CASE 29−11  
STYLE 2  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200357  
125  
Unit  
°C/W  
°C/W  
1
2
3
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JA  
R
q
JC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
MARKING DIAGRAM  
MPS  
H10  
AYWW G  
G
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
February, 2007 − Rev. 3  
MPSH10/D  
123

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MMBTH10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBTH10LT1 ONSEMI

完全替代

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MMBTH10LT3G ONSEMI

类似代替

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