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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.01 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.7 pF | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 650 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBTH10G-B-AE3-R | UTC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MMBTH10G-C-AE3-R | UTC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MMBTH10G-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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| MMBTH10G-X-AL3-R | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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| MMBTH10G-X-AN3-R | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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| MMBTH10G-X-AQ3-R | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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| MMBTH10-HIGH | TI |
获取价格 |
Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
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| MMBTH10L | ONSEMI |
获取价格 |
VHF/UHF Transistor |
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| MMBTH10L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MMBTH10L99Z | TI |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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