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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.56 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 0.7 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 650 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBTH10L-C-AE3-B-R | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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| MMBTH10L-C-AE3-CR | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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| MMBTH10L-C-AE3-C-R | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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| MMBTH10L-C-AE3-E-R | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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| MMBTH10L-C-AL3-R | UTC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MMBTH10L-C-AQ3-R | UTC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor |
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| MMBTH10LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
VHF/UHF Transistor |
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| MMBTH10LT1 | LRC |
获取价格 |
VHF/UHF Transistors(NPN Silicon) |
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| MMBTH10LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
VHF/UHF Transistor (NPN Silicon) |
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| MMBTH10LT1 | WILLAS |
获取价格 |
VHF/UHF Transistors |
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