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MMBTH10LT1

更新时间： 2024-10-31 22:54:39

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	136K
描述
VHF/UHF Transistors(NPN Silicon)

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MMBTH10LT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	60
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	650 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTH10LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

VHF/UHF Transistors

NPN Silicon

COLLECTOR

MMBTH10LT1

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

Value

Unit

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Vdc

V _CBO

V _EBO

3.0

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

556

300

2.4

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

°C/W

T_J, T_stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

MMBTH10LT1 = 3EM

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= 1.0 mAdc, I _B= 0 )

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

—

Vdc

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= 100 µAdc , I _E= 0)

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 10 µAdc , I _C= 0)

3.0

Collector Cutoff Current

I _CBO

I _EBO

—

100

nAdc

( V _CB= 25Vdc , I _E= 0 )

Emitter Cutoff Current

( V _EB= 2.0Vdc , I _C= 0 )

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

M33–1/4

12 3 4

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