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MMBTH10LT1

更新时间： 2024-10-31 22:54:39
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 91K
描述
VHF/UHF Transistor

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MMBTH10LT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.03最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：0.7 pF集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：650 MHzBase Number Matches：1

MMBTH10LT1 数据手册

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by MMBTH10LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
NPN Silicon  
Motorola Preferred Device  
1
BASE  
3
2
1
EMITTER  
2
CASE 318-08, STYLE 6  
SOT-23 (TO-236AB)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
25  
30  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
3.0  
DEVICE MARKING  
MMBTH10LT1 = 3EM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(1)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR-5 Board  
= 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
225  
mW  
T
A
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
θJA  
P
D
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
θJA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 1.0 mAdc, I = 0)  
V
V
25  
30  
3.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 100 µAdc, I = 0)  
C
E
(BR)CBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 µAdc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
CB  
= 25 Vdc, I = 0)  
I
100  
100  
nAdc  
nAdc  
E
CBO  
Emitter Cutoff Current (V  
= 2.0 Vdc, I = 0)  
I
EBO  
—
EB  
C
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina  
Thermal Clad is a registered trademark of the Berquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1997
123456

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