5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMBTH10-TP
MMBTH10-TP PDF预览

MMBTH10-TP

更新时间： 2024-01-14 04:16:40
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 198K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBTH10-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.52
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：0.7 pF
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：650 MHz
Base Number Matches：1

MMBTH10-TP 数据手册

 浏览型号MMBTH10-TP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMBTH10  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Designed for VHF/UHF Amplifier applications and high output VHF  
Oscillators  
NPN VHF/UHF  
Transistors  
•
•
•
·
High current gain bandwidth product  
Marking Code: 3EM  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
SOT-23  
Maximum Ratings  
Symbol  
A
D
Rating  
Rating  
25  
30  
3.0  
50  
225  
-55 to +150  
-55 to +150  
Unit  
V
V
C
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
B
C
V
Collector Current-Continuous (1)  
Power dissipation (2)  
mA  
mW  
OC  
OC  
E
B
F
E
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TSTG  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
H
G
J
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
K
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
25  
30  
3.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
DIMENSIONS  
(I =1.0mAdc, IB=0)  
C
Collector-Base Breakdown Voltage  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
MAX  
.120  
.104f  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
(I =10uAdc, IC=0)  
E
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=25Vdc,IE=0)  
100  
100  
nAdc  
nAdc  
F
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=2.0Vdc, IC=0)  
---  
G
H
J
.085  
.37  
ON CHARACTERISTICS  
K
hFE  
DC Current Gain  
60  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Suggested Solder  
Pad Layout  
(I =4.0mAdc, VCE=10Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.5  
.031  
.800  
(I =4.0mAdc, IB=400uAdc)  
C
Base-Emitter Saturation Voltage  
0.95  
.035  
.900  
(I =4.0mAdc,VCE=10Vdc)  
C
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
.079  
2.000  
inches  
mm  
fT  
Current-Gain-Bandwidth Product  
650  
---  
---  
0.7  
MHz  
pF  
(VCE=10V, f=100MHz, IC=4.0mA )  
CCB  
CRB  
Collector-Base Capacitance  
(VCB=10V, f=1.0MHz, IE=0)  
Collector-Base Feedback Capacitance  
(VCB=10V, f=1.0MHz, IE=0)  
.037  
.950  
.037  
.950  
---  
0.65  
pF  
Note: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
2. Pulse test: Pulse width<300us, duty cycle<2%  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: B  
2013/01/01  
12

中文翻译

下载PDF

MMBTH10-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBTH10LT3G ONSEMI

功能相似

 VHF/UHF Transistor
MMBTH10-7-F DIODES

功能相似

 NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR
MMBTH10-7 DIODES

功能相似

 NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR

与MMBTH10-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBTH10-X-AE3-CR UTC

获取价格

 		RF TRANSISTOR
MMBTH10-X-AE3-R UTC

获取价格

 		RF TRANSISTOR
MMBTH10-X-AL3-R UTC

获取价格

 		RF TRANSISTOR
MMBTH10-X-AN3-R UTC

获取价格

 		RF TRANSISTOR
MMBTH11 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN RF Transistor
MMBTH11 ONSEMI

获取价格

 		NPN 射频晶体管
MMBTH11D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
MMBTH11D87Z TI

获取价格

 		VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTH11L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
MMBTH11L99Z TI

获取价格

 		VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

与MMBTH10-TP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证