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MMBTH11S62Z

更新时间: 2024-11-01 14:43:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 215K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN

MMBTH11S62Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.7Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:0.7 pF集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):650 MHzBase Number Matches:1

MMBTH11S62Z 数据手册

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