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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MMBTH10M3T5G
MMBTH10M3T5G PDF预览

MMBTH10M3T5G

更新时间： 2024-09-26 05:49:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 120K
描述
NPN VHF/UHF Transistor

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MMBTH10M3T5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.49
Is Samacsys：N配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.64 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED标称过渡频率 (fT)：650 MHz
Base Number Matches：1

MMBTH10M3T5G 数据手册

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MMBTH10M3T5G  
NPN VHF/UHF Transistor  
The MMBTH10M3T5G device is a spin−off of our popular  
SOT−23 three−leaded device. It is designed for general purpose  
VHF/UHF applications and is housed in the SOT−723 surface mount  
package. This device is ideal for low−power surface mount  
applications where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
Features  
• Reduces Board Space  
• This is a Halide−Free Device  
• This is a Pb−Free Device  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
25  
30  
2
EMITTER  
V
EBO  
3.0  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
MARKING  
DIAGRAM  
Symbol  
Max  
Unit  
3
Total Device Dissipation  
FR−5 Board (Note 1)  
P
D
mW  
SOT−723  
CASE 631AA  
STYLE 1  
265  
2.1  
AJ M  
mW/°C  
T = 25°C  
A
2
Derate above 25°C  
1
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
470  
°C/W  
q
JA  
AJ  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate, (Note 2) T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
640  
5.1  
mW  
mW/°C  
°C/W  
D
A
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
195  
JA  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
°C  
J
stg  
+150  
MMBTH10M3T5G  
SOT−723 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
January, 2009 − Rev. 0  
MMBTH10M3/D  
 
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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