是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.56 |
最大集电极电流 (IC): | 0.05 A | 基于收集器的最大容量: | 0.7 pF |
集电极-发射极最大电压: | 25 V | 配置: | SINGLE |
最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 650 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MMBTH10G-X-AE3-R | UTC | RF TRANSISTOR |
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MMBTH10G-X-AL3-R | UTC | RF TRANSISTOR |
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MMBTH10G-X-AN3-R | UTC | RF TRANSISTOR |
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MMBTH10G-X-AQ3-R | UTC | RF TRANSISTOR |
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MMBTH10-HIGH | TI | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
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MMBTH10L | ONSEMI | VHF/UHF Transistor |
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