Datasheet > MMBTH1037

MMBTH1037

更新时间： 2024-11-13 14:55:03

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	905K
描述
小信号晶体管

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBTH1037 数据手册

MMBTH1037

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Excellent h_FElinearity

1. Bate 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 )

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

100

150

Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

250

T_j

150

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

500

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 11/04/2022 Rev:01

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与MMBTH1037相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTH10-4LT1	ONSEMI	获取价格	VHF/UHF Transistor
MMBTH10-4LT1G	ONSEMI	获取价格	VHF/UHF Transistor
MMBTH10-7	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR
MMBTH10-7-F	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR
MMBTH10-A-AE3-B-R	UTC	获取价格	RF TRANSISTOR
MMBTH10-A-AE3-CR	UTC	获取价格	RF TRANSISTOR
MMBTH10-A-AE3-C-R	UTC	获取价格	RF TRANSISTOR
MMBTH10-A-AE3-E-R	UTC	获取价格	RF TRANSISTOR
MMBTH10-B-AE3-B-R	UTC	获取价格	RF TRANSISTOR
MMBTH10-B-AE3-CR	UTC	获取价格	RF TRANSISTOR