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MMBTH1037

更新时间： 2023-12-06 20:09:34

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先科 - SWST		晶体管
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5页	905K
描述
小信号晶体管

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MMBTH1037 数据手册

MMBTH1037

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Excellent h_FElinearity

1. Bate 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 )

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

100

150

Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

250

T_j

150

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

500

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 11/04/2022 Rev:01

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