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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBTA92-TP
MMBTA92-TP PDF预览

MMBTA92-TP

更新时间： 2024-01-06 22:15:53
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
3页 134K
描述
PNP Silicon High Voltage Transistor

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MMBTA92-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MMBTA92-TP 数据手册

 浏览型号MMBTA92-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA92-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
MMBTA92  
Features  
•
Surface Mount SOT-23 Package  
Capable of 300mWatts of Power Dissipation  
PNP Silicon High  
Voltage Transistor  
•
•
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1  
x
Marking:2D  
SOT-23  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
A
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
D
OFF CHARACTERISTICS  
C
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=-1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-100µAdc, IC=0)  
-300  
-300  
-5  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
B
C
E
B
F
E
IC  
Collector Current-Continuous  
-300  
mAdc  
nAdc  
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-200Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-5Vdc, IC=0)  
-250  
-100  
H
G
IEBO  
nAdc  
K
ON CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
hFE  
DC Current Gain*  
INCHES  
MIN  
MM  
(IC=-1.0mAdc, VCE=-10Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-10Vdc)  
(IC=-30mAdc, VCE=-10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-20mAdc, IB=-2.0mAdc)  
60  
100  
60  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
NOTE  
200  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
-0.2  
-0.9  
Vdc  
Vdc  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-20mAdc,IB=-2.0mAdc)  
F
G
H
J
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
.085  
.37  
K
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=-10mAdc, VCE=-20Vdc, f=30MHz)  
Collector-Base Capacitance  
(VCB=-20Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
50  
MHz  
pF  
Ccb  
6.0  
Suggested Solder  
Pad Layout  
THERMAL CHARACTERISTICS  
.031  
.800  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board,  
P
225  
mW  
D
.035  
.900  
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
.079  
inches  
2.000  
mm  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
qJA  
Total Device Dissipation  
(2)  
P
D
Alumina Substrate,  
T = 25°C  
A
.037  
.950  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
.037  
.950  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
qJA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 5  
2009/06/10  
123

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