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MMBTA92W

更新时间： 2024-01-15 02:12:33

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SECOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	122K
描述
General Purpose Transistor

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MMBTA92W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA92W 数据手册

MMBTA92W

PNP Silicon

Elektronische Bauelemente

General Purpose Transistor

FEATURES

RoHS Compliant Product

Power dissipation & Collector current

Pcm: 0.2W Icm: -0.3A

SOT-323

Dim

Min

Max

High voltage V(BR): -300V

1.800 2.200

1.150 1.350

0.800 1.000

0.300 0.400

1.200 1.400

0.000 0.100

0.100 0.250

0.350 0.500

0.590 0.720

2.000 2.400

0.280 0.420

Top View

3. Collector

2. Base

1.Emitter

All Dimension in mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25

unless otherwise specified

）

（

℃

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= -100uA

I_E=0

-300

-5

，

(BR)CBO

Ic= -1 mA

I_B=0

，

(BR)CEO

I = -100XA I_C=0

，

(BR)EBO

I_CBO

V_CB=-200 V , I_E=0

V_EB= -5V, I_C=0

-0.25

-0.1

Emitter cut-off current

I_EBO

H_FE（1）

V_CE= -10V, I_C= - 1mA

V_CE= -10V, I_C=-10mA

V_CE=-10V, I_C=-30mA

100

DC current gain

H_FE（2）

H_FE（3）

200

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat) I_C=-20 mA, I_B= -2mA

-0.2

-0.9

V_BE(sat)

f_T

I_C= -20 mA, I_B=-2mA

V_CE=-20V, I_C=-10mA

Transition frequency

MHz

f=30MHz

DEVICE MARKING

MMBTA92W=K3R

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2002 Rev. A

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