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MMBTA94 PDF预览

MMBTA94

更新时间： 2024-02-25 14:23:32
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 278K
描述
Epitaxial Transistor

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MMBTA94 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHz

MMBTA94 数据手册

 浏览型号MMBTA94的Datasheet PDF文件第2页 
MMBTA94  
PNP Silicon  
-400V, -0.1A, 350mW  
Epitaxial Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-23  
FEATURES  
High Voltage Transistor  
A
L
3
3
Top View  
C B  
MARKING  
1
1
2
Product  
Marking Code  
4D  
2
K
F
E
MMBTA44  
D
H
J
G
SYMBOL  
Millimeter  
Min. Max.  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Collector  
Min.  
-
0.40  
0.08  
Max.  
0.18  
0.60  
0.20  
A
B
C
D
E
F
2.70  
2.10  
1.20  
0.89  
1.78  
0.30  
3.04  
2.80  
1.60  
1.40  
2.04  
0.50  
G
H
J
K
L
  
0.6 REF.  
0.85  
1.15  
  
Base  
  
Emitter  
MAXIMUM RATINGS (at T = 25°C unless otherwise specified)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
RATINGS  
UNIT  
Collector - Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-400  
-400  
V
V
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
-5  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction, Storage Temperature  
-0.1  
A
PC  
350  
mW  
℃
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T = 25°C unless otherwise specified)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
IC =100µA, IE =0  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-400  
-400  
-5  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
IC = -1mA, IB =0  
IE = -100µA, IC =0  
VCB = -400V, IE =0  
VEB = -4V, IC =0  
-
-
V
-0.1  
-0.1  
-
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
V
CE = -10V, IC = -1mA  
hFE1  
hFE2  
hFE3  
hFE4  
*
*
*
*
70  
80  
40  
40  
-
VCE = -10V, IC = -10mA  
VCE = -10V, IC = -50mA  
VCE = -10V, IC = -100mA  
IC = -10mA, IB = -1mA  
IC = -50mA, IB = -5mA  
IC = -10mA, IB = -1mA  
VCE = -20V, IC = -10mA  
300  
-
DC Current Gain  
-
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
VBE(sat)  
fT  
*
-0.2  
-0.3  
-0.75  
-
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
*
-
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition frequency  
*Pulse test  
*
-
V
50  
MHz  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
15-Oct-2010 Rev. A  
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MMBTA94 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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