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MMBTH10

更新时间： 2024-09-23 10:52:23

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管光电二极管
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描述
TRANSISTOR(NPN)

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MMBTH10 数据手册

MMBTH10

TRANSISTOR(NPN)

SOT–23

FEATURES

 VHF/UHF Transistor

MARKING: 3EM

1. BASE

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Symbol

V_CBO

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

℃/W

℃

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

225

P_C

R_ΘJA

T_j

556

150

Storage Temperature

T_stg

-55～+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_C=100µA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=10µA, I_C=0

V_CB=25V, I_E=0

0.1

µA

I_EBO

V_EB=2V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE

V_CE=10V, I_C=4mA

I_C=4mA, I_B=0.4mA

V_CE=10V, I_C=4mA

V_CE=10V,I_C=4mA

f=100MHz

DC current gain

V_CE(sat)

V_BE

0.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.95

f_T

650

MHz

Transition frequency

C_ob

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

0.7

Collector output capacitance

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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