MMBTA94

更新时间： 2024-11-13 10:52:23

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管光电二极管高压 IOT
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Surface mount High Voltage Transistors

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MMBTA94 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.35
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MMBTA94 数据手册

MMBTA94

Surface mount High Voltage Transistors

Hochspannungs-Transistoren für die Oberflächenmontage

PNP

Version 2011-09-01

Power dissipation

200 mW

Verlustleistung

2.9^±0.1

1.1

0.4

Plastic case

SOT-23

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Dimensions / Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBTA94

400 V

Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EBO

P_tot

400 V

6 V

200 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I_C

300 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

T_j

T_S

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

100 nA

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, - V_CB= 300 V

- I_CB0

–

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, - V_EB= 4 V

- I_EB0

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

- I_C= 10 mA, - I_B= 1 mA

- I_C= 50 mA, - I_B= 5 mA

- V_CEsat

–

500 mV

750 mV

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ²)

- I_C= 10 mA, - I_B= 1 mA

- V_BEsat

–

750 mV

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBTA94	SECOS	功能相似	Epitaxial Transistor

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