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MMBTA93LT1

更新时间： 2024-02-20 06:37:03

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乐山 - LRC		晶体晶体管高压
页数	文件大小	规格书
3页	95K
描述
High Voltage Transistor(PNP Silicon)

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MMBTA93LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236AF, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.34
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA93LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

High Voltage Transistor

PNP Silicon

MMBTA92LT1

COLLECTOR

MMBTA93LT1

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Value

Rating

Symbol MMBTA92 MMBTA93 Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

–300

–200

Vdc

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

–5.0

–500

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

T_J, T_stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

MMBTA92LT1 = 2D, MMBTA93LT1 = 2E

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage(3)

(I _C= –1.0 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

Vdc

MMBTA92

MMBTA93

–300

–200

—

Collector–Emitter Breakdown Voltage

V _(BR)CBO

Vdc

(I _C= –100 µAdc, I _E= 0)

MMBTA92

MMBTA93

–300

–200

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= –100 µAdc, I _C= 0)

Collector Cutoff Current

( V _CB= –200Vdc, I _E= 0)

( V _CB= –160Vdc, I _E= 0)

Collector Cutoff Current

( V _CB= –3.0Vdc, I _C= 0)

V _(BR)EBO

I _CBO

–5.0

—

Vdc

nAdc

MMBTA92

MMBTA93

—

–0.25

I _EBO

—

–0.1

µAdc

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width

300 µs, Duty Cycle

2.0%.

M32–1/3

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBTA93LT1G	ONSEMI	High Voltage Transistors PNP Silicon	获取价格
MMBTA93-TP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C	获取价格
MMBTA93-TP-HF	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE	获取价格
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