Datasheet > MMBTA93

MMBTA93

更新时间： 2024-01-25 08:21:57

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管光电二极管高压 IOT
页数	文件大小	规格书
3页	396K
描述
PNP Silicon High Voltage Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBTA93 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA93 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

MMBTA93

Features

•

Surface Mount SOT-23 Package

PNP Silicon High

Voltage Transistor

Capable of 300mWatts of Power Dissipation

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Marking: YW

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1.0mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100µAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-100µAdc, I_C=0)

-200

-5

Vdc

I_C

Collector Current-Continuous

-500

mAdc

nAdc

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB=-200Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-5Vdc, I_C=0)

-250

-100

I_EBO

nAdc

ON CHARACTERISTICS

DIMENSIONS

h_FE

DC Current Gain

INCHES

MIN

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-10Vdc)

(I_C=-10mAdc, V_CE=-10Vdc)

(I_C=-30mAdc, V_CE=-10Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-20mAdc, I_B=-2.0mAdc)

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.5

-0.9

Vdc

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-20mAdc,I_B=-2.0mAdc)

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

.085

.37

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I_C=-10mAdc, V_CE=-20Vdc, f=100MHz)

Collector-Base Capacitance

(V_CB=-20Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

MHz

C_cb

8.0

Suggested Solder

Pad Layout

THERMAL CHARACTERISTICS

.031

.800

Characteristic

Symbol

Max

Unit

.035

.900

300

417

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

°C/mW

°C

qJA

.079

inches

2.000

T , T

–55 to +150

stg

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

中文翻译

下载PDF

与MMBTA93相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA93-AH	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBTA93L	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistors PNP Silicon
MMBTA93LT1	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistors(PNP Silicon)
MMBTA93LT1	LRC	获取价格	High Voltage Transistor(PNP Silicon)
MMBTA93LT1	MOTOROLA	获取价格	High Voltage Transistors
MMBTA93LT1G	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistors PNP Silicon
MMBTA93-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
MMBTA93-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
MMBTA94	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR(PNP)
MMBTA94	MCC	获取价格	PNP Silicon High Voltage Transistor

与MMBTA93相关文章

L7805CV手册解读：引脚说明、替代型号推荐、好坏检测
2024-06-06

2
MMBT5551资料手册解读：电气参数、替换型号推荐
2024-06-06

1
APW7073资料手册解读：产品特性、引脚说明、替换型号推荐
2024-06-06

0
晶闸管阳极与阴极之间加电压时控制极的电流流动分析
2024-06-05

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBTA93

MMBTA93 技术参数

MMBTA93 数据手册

与MMBTA93相关器件

与MMBTA93相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBTA93

MMBTA93 技术参数

MMBTA93 数据手册

与MMBTA93相关器件

与MMBTA93相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？