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MMBTA93

更新时间： 2024-11-20 10:52:23
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美微科 - MCC 晶体晶体管光电二极管高压IOT
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3页 396K
描述
PNP Silicon High Voltage Transistor

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MMBTA93 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
MMBTA93  
Features  
•
•
·
Surface Mount SOT-23 Package  
PNP Silicon High  
Voltage Transistor  
Capable of 300mWatts of Power Dissipation  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
·
Marking: YW  
SOT-23  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
A
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
D
OFF CHARACTERISTICS  
C
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-100µAdc, IC=0)  
-200  
-200  
-5  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
B
C
E
B
F
E
IC  
Collector Current-Continuous  
-500  
mAdc  
nAdc  
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-200Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-5Vdc, IC=0)  
-250  
-100  
H
G
IEBO  
nAdc  
K
ON CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
hFE  
DC Current Gain  
INCHES  
MIN  
MM  
(IC=-1.0mAdc, VCE=-10Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-10Vdc)  
(IC=-30mAdc, VCE=-10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-20mAdc, IB=-2.0mAdc)  
25  
40  
25  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
-0.5  
-0.9  
Vdc  
Vdc  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-20mAdc,IB=-2.0mAdc)  
F
G
H
J
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
.085  
.37  
K
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=-10mAdc, VCE=-20Vdc, f=100MHz)  
Collector-Base Capacitance  
(VCB=-20Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
50  
MHz  
pF  
Ccb  
8.0  
Suggested Solder  
Pad Layout  
THERMAL CHARACTERISTICS  
.031  
.800  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
mW  
.035  
.900  
Pc  
300  
417  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
°C/mW  
°C  
qJA  
.079  
inches  
2.000  
mm  
T , T  
–55 to +150  
J
stg  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBTA93-AH SWST

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