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MMBTA94

更新时间： 2024-02-08 06:14:32

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描述
TRANSISTOR (PNP)

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MMBTA94 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz

MMBTA94 数据手册

RoHS

MMBTA94

SOT-23-3L

MMBTA94

TRANSISTOR (PNP)

1. ^BASE

FEATURES

2. ^EMITTER

3. ^COLLECTOR

Power dissipation

P_CM:

0.35

W (Tamb=25℃)

2. 80¡ À0. 05

1. 60¡ À0. 05

Collector current

I_CM:

-0.2

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

-400

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V (BR) _CBO

V (BR) _CEO

V (BR) _EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= -100µA, I_E=0

MIN

-400

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -1mA, I_B=0

I_E=-100µA,I_C=0

V_CB=-400V, I_E=0

-0.1

-5

µA

I_CEO

V_CE=-400V, I_B=0

Collector cut-off current

I_EBO

V_EB= -4V, I_C=0

-0.1

300

Emitter cut-off current

h_FE(1)

V_CE=-10V, I_C=-10 mA

V_CE=-10V, I_C=-1mA

V_CE=-10V, I_C=-100 mA

I_C=-10 mA, I_B=-1mA

I_C=-50 mA, I_B=-5mA

I_C=-10 mA, I_B= -1 mA

DC current gain

h_FE(2)

h_FE(3)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.2

-0.3

Collector-emitter saturation voltage

-0.75

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE=-20V, I_C=-10mA

f =30MHz

f_T

MHz

MARKING

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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