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MMBTA94 PDF预览

MMBTA94

更新时间： 2024-02-01 15:52:04
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科信 - KEXIN IOT光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 1806K
描述
PNP Transistors

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MMBTA94 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHz

MMBTA94 数据手册

 浏览型号MMBTA94的Datasheet PDF文件第2页 
SMD Type  
Transistors  
PNP Transistors  
MMBTA94 (KMBTA94)  
SOT-23-3  
Unit: mm  
+0.2  
-0.1  
2.9  
0.4  
+0.1  
-0.1  
3
■ Features  
● High Breakdown Voltage  
●Complement to MMBTA44  
1
2
+0.02  
-0.02  
+0.1  
-0.1  
0.15  
0.95  
+0.1  
-0.2  
1.9  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Rating  
-400  
-400  
-5  
Unit  
V
Collector - Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Collector Current - Continuous  
Collector Current -Pulsed  
I
C
-200  
-300  
350  
mA  
I
CM  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance From Junction To Ambient  
Junction Temperature  
P
C
mW  
RΘJA  
150  
℃/W  
T
J
150  
℃
Storage Temperature range  
T
stg  
-55 to 150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Ic= -100 μA， I =0  
Ic= -1 mA， I =0  
= -100μA， I =0  
CB= -400 V , I =0  
EB= -4V , I =0  
Min  
-400  
-400  
-5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Emitter cut-off current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
E
B
I
E
C
I
CBO  
EBO  
V
V
E
-100  
-100  
-0.2  
nA  
V
I
C
V
V
CE(sat)1  
CE(sat)2  
I
I
I
C
=-10 mA, I  
B
B
=-1mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Base - emitter saturation voltage  
C
C
=-50 mA, I  
=-5mA  
-0.3  
V
BE(sat)  
= -10mA, I  
B
=- 1mA  
-0.75  
300  
h
FE(1)  
FE(2)  
FE(3)  
FE(4)  
V
V
V
V
V
CE= -10V, I  
CE= -10V, I  
CE= -10V, I  
CE= -10V, I  
CE= -20V, I  
C
= -10mA  
80  
70  
40  
40  
50  
h
C
C
C
C
= -1mA  
DC current gain  
h
h
= -100mA  
= -50mA  
Transition frequency  
f
T
= 10mA,f=30MHz  
MHz  
■ Classification of hfe(1)  
Type  
Range  
Marking  
MMBTA94  
MMBTA94-L  
100-200  
80-300  
4D  
1
www.kexin.com.cn  
12

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