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MMBTA94

更新时间： 2024-01-02 13:18:35
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH 晶体晶体管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
1页 130K
描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

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MMBTA94 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHz

MMBTA94 数据手册

  
ST 2SB772T  
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR  
These devices are intended for use in audio  
frequency power amplifier and low speed switching  
applications  
E
C
B
TO-126 Plastic Package  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Collector Base Voltage  
Symbol  
-VCBO  
-VCEO  
-VEBO  
Value  
40  
Unit  
V
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
30  
V
5
V
Collector Current - DC  
Collector Current - Pulse 1)  
-IC  
-IC  
3
7
A
A
Base Current - DC  
-IB  
0.6  
A
O
PD  
PD  
10  
1.0  
W
W
Total Power Dissipation @ TC = 25 C  
O
Total Power Dissipation @ TA = 25 C  
O
C
Operating and Storage Junction Temperature Range  
TJ, Ts  
- 65 to + 150  
1) PW=10ms, Duty Cycle ≤ 50%  
O
Characteristics at Ta = 25 C  
Parameter  
Symbol  
hFE  
hFE  
hFE  
hFE  
hFE  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
DC Current Gain  
at -VCE = 2 V, -IC = 20 mA  
at -VCE = 2 V, -IC = 1 A  
30  
60  
100  
160  
200  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
R
Q
P
E
120  
200  
320  
400  
Collector Emitter Breakdown Voltage  
at -IC = 1 mA  
-V(BR)CEO  
-V(BR)CBO  
-V(BR)EBO  
-ICBO  
30  
40  
5
-
-
-
-
-
-
-
V
V
Collector Base Breakdown Voltage  
at -IC = 1 mA  
Emitter Base Breakdown Voltage  
at -IE = 1 mA  
-
V
Collector Cutoff Current  
at -VCB = 30 V  
-
1
1
µA  
µA  
Emitter Cutoff Current  
at -VEB = 3 V  
-IEBO  
-
Collector Emitter Saturation Voltage  
at -IC = 2 A, -IB = 200 mA  
-VCE(sat)  
-VBE(sat)  
CO  
-
-
-
-
-
0.5  
2
V
V
Base Emitter Saturation Voltage  
at -IC = 2 A, -IB = 200 mA  
Output Capacitance  
55  
-
pF  
at -VCB = 10 V, f = 1 MHz  
Current Gain Bandwidth Product  
at -IC = 100 mA, -VCE = 5 V  
fT  
-
80  
-
MHz  
SEMTECH ELECTRONICS LTD.  
(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company  
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)  
®
Dated : 25/05/2006  
1

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