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MMBTA93

更新时间: 2024-01-23 03:04:56
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管光电二极管高压IOT
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
PNP (HIGH VOLTAGE TRANSISTOR)

MMBTA93 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.72
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:200 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzBase Number Matches:1

MMBTA93 数据手册

  

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