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MMBTA93

更新时间： 2024-11-19 14:55:39

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	586K
描述
双极型晶体管

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MMBTA93 技术参数

极性：	PNP	Collector-emitter breakdown voltage：	200
Collector Current - Continuous：	0.5	DC current gain - Min：	40
DC current gain - Max：		Transition frequency：	50
Package：	SOT-23	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

MMBTA93 数据手册

MMBTA93

PNP High Voltage Amplifier

1. BASE

SOT-23

Min

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Dim

Max

3.10

1.50

2.70

1.10

FEATURES

1.0 Typical

0.4 Typical

Epitaxial planar die construction.

0.35

0.48

2.00

0.1

Complementary NPN type available

(MMBTA42).

1.80

0.02

0.1 Typical

2.20

2.60

Ideal for medium power amplification and switching.

All Dimensions in mm

APPLICATIONS

High voltage driver applications.

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

Package Code

SOT-23

MMBTA93

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

UNIT

V_CBO

collector-base voltage

-200

V_CEO

V_EBO

I_C

collector-emitter voltage

emitter-base voltage

-200

-5

collector current (DC)

-0.5

P_C

Collector dissipation

0.35

°C

T_j,T_stg

junction and storage temperature

-55 to +150

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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MMBTA93-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
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