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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBTA92LT3G
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MMBTA92LT3G

更新时间： 2024-01-11 01:12:14
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
4页 108K
描述
High Voltage Transistors PNP Silicon

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MMBTA92LT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-236AF包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.49
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-236AFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

MMBTA92LT3G 数据手册

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MMBTA92L, SMMBTA92L,  
MMBTA93L  
High Voltage Transistors  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
COLLECTOR  
3
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
1
Compliant  
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Symbol  
92  
93  
Unit  
Vdc  
EMITTER  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−300  
−300  
−5.0  
−200  
−200  
−5.0  
MARKING  
DIAGRAM  
Vdc  
3
Vdc  
1
Collector Current — Continuous  
DEVICE MARKING  
I
C
−500  
mAdc  
2
2x MG  
G
SOT−23 (TO−236AF)  
CASE 318  
MMBTA92L, SMMBTA92L = 2D; MMBTA93LT1 = 2E  
STYLE 6  
THERMAL CHARACTERISTICS  
2x = Specific Device Code  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
D
225  
mW  
(Note 1) T = 25°C  
A
(*Note: Microdot may be in either location)  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
q
JA  
Total Device Dissipation (Note 2)  
P
D
(2)  
Alumina Substrate, T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
q
JA  
†
Device  
Package  
Shipping  
T , T  
−55 to  
+150  
J
stg  
MMBTA92LT1G  
SOT−23 3000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
SMMBTA92LT1G SOT−23 3000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
MMBTA92LT3G  
SOT−23 10000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
SMMBTA92LT3G SOT−23 10000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
MMBTA93LT1G  
SOT−23 3000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
January, 2013 − Rev. 10  
MMBTA92LT1/D  
 
1234

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