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MMBTA92-TP-HF

更新时间： 2024-02-14 04:43:32

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	255K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBTA92-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA92-TP-HF 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

MMBTA92

Features

•

Surface Mount SOT-23 Package

PNP Silicon High

Voltage Transistor

Capable of 300mWatts of Power Dissipation

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Marking: 2D

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=-1.0mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100µAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-100µAdc, I_C=0)

-300

-5

Vdc

I_C

Collector Current-Continuous

-300

-500

mAdc

nAdc

I_CM

I_CBO

Collector Current-Pulsed

Collector Cutoff Current

(V_CB=-200Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-5Vdc, I_C=0)

-250

-100

I_EBO

nAdc

DIMENSIONS

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-10Vdc)

(I_C=-10mAdc, V_CE=-10Vdc)

(I_C=-30mAdc, V_CE=-10Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-20mAdc, I_B=-2.0mAdc)

100

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

200

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.2

-0.9

Vdc

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-20mAdc,I_B=-2.0mAdc)

.085

.37

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I_C=-10mAdc, V_CE=-20Vdc, f=30MHz)

Collector-Base Capacitance

(V_CB=-20Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

MHz

C_cb

Suggested Solder

Pad Layout

6.0

THERMAL CHARACTERISTICS

.031

.800

Characteristic

Symbol

Max

Unit

(1)

Total Device Dissipation FR–5 Board,

225

.035

.900

= 25°C

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

.079

inches

2.000

Thermal Resistance, Junction to Ambient

qJA

Total Device Dissipation

(2)

Alumina Substrate,

T = 25°C

.037

.950

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

°C

.037

.950

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

417

qJA

T , T

J stg

–55 to +150

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: C

2014/03/19

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA92W	SEMTECH	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
MMBTA92W	SECOS	获取价格	General Purpose Transistor
MMBTA92W	PANJIT	获取价格	SOT-323
MMBTA92W	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBTA92W	FOSHAN	获取价格	SOT-323
MMBTA93	SEMTECH	获取价格	PNP Silicon High Voltage Transistors
MMBTA93	DIOTEC	获取价格	Surface mount High Voltage Transistors
MMBTA93	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR(PNP)
MMBTA93	MCC	获取价格	PNP Silicon High Voltage Transistor
MMBTA93	KEXIN	获取价格	High Voltage Transistors

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