是否无铅: | 含铅 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.15 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 100 |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.225 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 50 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBTA56LT3G | ONSEMI |
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Driver Transistors(PNP Silicon) | |
MMBTA56Q | DIODES |
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PNP, 80V, 0.5A, SOT23 | |
MMBTA56Q | YANGJIE |
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SOT-23 | |
MMBTA56Q-13-F | DIODES |
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PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 | |
MMBTA56Q-7-F | DIODES |
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PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 | |
MMBTA56-S00Z | FAIRCHILD |
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Transistor | |
MMBTA56S62Z | TI |
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500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB | |
MMBTA56-TP | MCC |
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PNP General Purpose Amplifier | |
MMBTA56-TP-HF | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP, | |
MMBTA56W | SWST |
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小信号晶体管 |