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MMBTA13

更新时间: 2024-11-19 22:54:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 127K
描述
NPN Silicon Darlington Transistors

MMBTA13 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.14Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.3 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):10000
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.33 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):125 MHz
Base Number Matches:1

MMBTA13 数据手册

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SMBTA13/ MMBTA13, SMBTA14/ MMBTA14  
NPN Silicon Darlington Transistors  
3
High DC current gain  
High collector current  
Low collector-emitter saturation voltage  
2
1
VPS05161  
Type  
Marking  
s1M  
s1N  
Pin Configuration  
Package  
SOT23  
SOT23  
1 = B  
1 = B  
2 = E  
3 = C  
SMBTA13/ MMBTA13  
SMBTA14/ MMBTA14  
2 = E  
3 = C  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
30  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
DC collector current  
Peak collector current  
Base current  
V
V
V
CES  
CBO  
EBO  
30  
10  
300  
500  
mA  
mA  
I
C
I
CM  
100  
I
B
Peak base current  
200  
I
BM  
330  
150  
mW  
°C  
Total power dissipation, T = 81 °C  
Junction temperature  
P
tot  
S
T
j
Storage temperature  
-65 ... 150  
T
stg  
Thermal Resistance  
Junction - soldering point  
1)  
R
210  
K/W  
thJS  
1
For calculation of R  
thJA  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
1
Feb-18-2002  

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MMBTA13_15 SECOS

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MMBTA13_15 UTC

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DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA13_2 DIODES

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NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA13_NL FAIRCHILD

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暂无描述
MMBTA13-13 DIODES

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
MMBTA13-3L BL Galaxy Electrical

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30V,0.3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor