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MMBTA14

更新时间: 2024-11-17 22:54:39
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三星 - SAMSUNG 晶体放大器晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 32K
描述
NPN (DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR)

MMBTA14 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):0.3 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):20000JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):125 MHz
Base Number Matches:1类别:Diodes
极性:NPNV(BR)CEO (V) min.:30
IC (A):0.3hFE min:20K
hFE max: -Condition1_VCE (V):5
Condition1_IC (mA):100VCE (sat) (V):1.5
Condition2_IC (mA):100Condition2_IB (mA):0.1
fT (MHz) min.:125PD (W) max.:0.3
AEC Qualified:No最高工作温度:150
最低工作温度:-55生命周期:Active
是否无铅:Yes符合Reach:Yes
符合RoHS:YesECCN代码:EAR99
Package Outlines:SOT-23

MMBTA14 数据手册

  

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