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MMBTA14

更新时间: 2024-01-04 09:25:00
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三星 - SAMSUNG 晶体放大器晶体管达林顿晶体管光电二极管
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1页 32K
描述
NPN (DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR)

MMBTA14 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.17Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1.2 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):20000
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.225 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):125 MHzBase Number Matches:1

MMBTA14 数据手册

  

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