是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 0.63 |
Samacsys Description: | Darlington NPN 30V 300mA HFE:10K SOT23 ON Semi MMBTA13LT1G Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23 | 最大集电极电流 (IC): | 0.3 A |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE): | 10000 | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.225 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 125 MHz |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBTA13LT1G | ONSEMI |
完全替代 ![]() |
Darlington Amplifier Transistors |
![]() |
MMBTA13 | ONSEMI |
类似代替 ![]() |
NPN达林顿晶体管 |
![]() |
MMBTA13-7-F | DIODES |
功能相似 ![]() |
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBTA13LT1_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Amplifier Transistors |
![]() |
MMBTA13LT1_16 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Amplifier Transistors |
![]() |
MMBTA13LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Amplifier Transistors |
![]() |
MMBTA13LT1G_09 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Amplifier Transistors |
![]() |
MMBTA13LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
300mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
![]() |
MMBTA13LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极达林顿晶体管 |
![]() |
MMBTA13-TP | MCC |
获取价格 |
NPN Darlington Amplifier Transistor |
![]() |
MMBTA13-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
![]() |
MMBTA14 | SAMSUNG |
获取价格 |
NPN (DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR) |
![]() |
MMBTA14 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Darlington Transistor |
![]() |