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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBTA13LT1
MMBTA13LT1 PDF预览

MMBTA13LT1

更新时间： 2024-11-17 22:14:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 113K
描述
Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)

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MMBTA13LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.22
Base Number Matches：1

MMBTA13LT1 数据手册

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ON Semiconductort  
MMBTA13LT1  
MMBTA14LT1  
Darlington Amplifier  
Transistors  
MMBTA14LT1 is a Preferred Device  
NPN Silicon  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
3
V
CES  
CBO  
EBO  
1
V
V
30  
Vdc  
2
Emitter–Base Voltage  
10  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
300  
mAdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
C
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
COLLECTOR 3  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
BASE  
1
qJA  
P
D
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
EMITTER 2  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
qJA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBTA13LT1 = 1M; MMBTA14LT1 = 1N  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
30  
—
—
—
Vdc  
nAdc  
nAdc  
(BR)CES  
(I = 100 mAdc, V  
C BE  
= 0)  
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
100  
100  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
EB  
C
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 1  
MMBTA13LT1/D  
12345678

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MMBTA13LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBTA13LT1G ONSEMI

完全替代

 Darlington Amplifier Transistors
MMBTA13 ONSEMI

类似代替

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功能相似

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