MMBTA14

更新时间： 2024-11-17 22:54:39

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美微科 - MCC		晶体放大器小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	167K
描述
NPN Darlington Amplifier Transistor

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MMBTA14 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	20000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
最大关闭时间（toff）：	285 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

MMBTA14 数据手册

M C C

MMBTA13

MMBTA14

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

Operating And Storage Temperatures –55^OC to 150^OC

NPN Darlington

Amplifier Transistor

_qJAis 556^OC/W (Mounted on FR-5 PCB 1.0”x0.75”x0.062”)

Capable of 225mWatts of Power Dissipation

Marking Code: MMBTA13 ----K2D; MMBTA14 ---- 1N

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

Vdc

(I =100uAdc, I_B=0)

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_C

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Current-Continuous

Vdc

300

mAdc

nAdc

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB=30Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

100

I_EBO

nAdc

Collector

(V_EB=10Vdc, I =0)

Base

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

Emitter

MMBTA13

MMBTA14

(I =10mAdc, V_CE=5.0Vdc)

5000

10000

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.110

MMBTA13

MMBTA14

V_CE(sat)

(I =150mAdc, V_CE=1.0Vdc)

10000

20000

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

.083

.047

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I =100mAdc, I =0.1mAdc)

1.5

2.0

Vdc

.035

.070

.018

1.78

.45

V_BE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I =100mAdc,V_CE=5.0Vdc)

.0005

.035

.003

.013

.89

.085

.37

.100

1.12

.180

.51

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

.015

(I =10mAdc, V_CE=5.0Vdc, f=100MHz)

125

MHz

Suggested Solder

Pad Layout

C_obo

Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

8.0

.031

.800

ibo

Input Capacitance

(V_BE=0.5Vdc, I_C=0, f=1.0MHz)

.035

.900

SWITCHING CHARACTERISTICS

.079

2.000

inches

t_d

Delay Time

(V_CC=30Vdc, V_BE=0.5Vdc

225

t_r

Rise Time

I_C=150mAdc, I_B1=15mAdc)

t_s

Storage Time

(V_CC=30Vdc, I =150mAdc

t_f

Fall Time

I_B1=I_B2=15mAdc)

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

12 3 4

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与MMBTA14相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA14/L99Z	TI	获取价格	1200mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA14/S62Z	TI	获取价格	1200mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA14_10	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14_15	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
MMBTA14-7	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14-7-F	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14-AE3-R	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14G-AE3-R	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14G-X-AL3-R	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR

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