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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBTA13LT1G
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MMBTA13LT1G

更新时间： 2024-11-05 04:39:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 74K
描述
Darlington Amplifier Transistors

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MMBTA13LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.63
Samacsys Description：Darlington NPN 30V 300mA HFE:10K SOT23 ON Semi MMBTA13LT1G Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz

MMBTA13LT1G 数据手册

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MMBTA13LT1,  
MMBTA14LT1  
MMBTA14LT1 is a Preferred Device  
Darlington Amplifier  
Transistors  
NPN Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
COLLECTOR 3  
• Pb−Free Packages are Available  
BASE  
1
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
EMITTER 2  
V
CES  
CBO  
EBO  
V
V
30  
Vdc  
10  
Vdc  
3
SOT−23 (TO−236)  
Collector Current − Continuous  
I
300  
mAdc  
C
CASE 318  
STYLE 6  
1
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
2
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
D
MARKING DIAGRAM  
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
556  
°C/W  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
1x M G  
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
G
Derate above 25°C  
1
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
T , T  
J
−55 to +150  
1x = Device Code  
x = M for MMBTA13LT1  
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
x = N for MMBTA14LT1  
= Date Code*  
M
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBTA13LT1  
SOT−23  
3,000 / Tape & Reel  
3,000 / Tape & Reel  
MMBTA13LT1G SOT−23  
(Pb−Free)  
MMBTA14LT1  
SOT−23  
3,000 / Tape & Reel  
3,000 / Tape & Reel  
MMBTA14LT1G SOT−23  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 2  
MMBTA13LT1/D  
 
123456

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MMBTA13LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBTA13LT3G ONSEMI

完全替代

 NPN 双极达林顿晶体管
MMBTA13LT1 ONSEMI

完全替代

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MPSA13RLRAG ONSEMI

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