是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 0.68 |
最大集电极电流 (IC): | 0.3 A | 集电极-发射极最大电压: | 30 V |
配置: | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE): | 10000 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.225 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 125 MHz |
最大关闭时间(toff): | 285 ns | 最大开启时间(吨): | 35 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBTA14LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Darlington Amplifier Transistors | |
MMBTA13LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Darlington Amplifier Transistors | |
MMBTA13-7-F | DIODES |
功能相似 |
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBTA13-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, | |
MMBTA14 | SAMSUNG |
获取价格 |
NPN (DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR) | |
MMBTA14 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Darlington Transistor | |
MMBTA14 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, DARLINGTON TRANSISTOR) | |
MMBTA14 | DIODES |
获取价格 |
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR | |
MMBTA14 | MCC |
获取价格 |
NPN Darlington Amplifier Transistor | |
MMBTA14 | TRSYS |
获取价格 |
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR | |
MMBTA14 | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) | |
MMBTA14 | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 达林顿晶体管 | |
MMBTA14 | DAYA |
获取价格 |
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors |