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MMBTA14

更新时间： 2024-02-21 08:56:52

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友顺 - UTC		晶体晶体管达林顿晶体管光电二极管
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2页	69K
描述
DARLINGTON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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MMBTA14 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.2 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	20000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA14 数据手册

UTC MMBTA14

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

DARLINGTON TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC MMBTA14 is a Darlington transistor.

FEATURES

*Collector-Emitter Voltage: VCES = 30V

*Collector Dissipation: Pc (mas) = 350 mW

MARKING

SOT-23

1: EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ^{(Operating temperature range applies unless otherwise specified.)}

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Dissipation (Tc=25°C)

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCES

VEBO

TSTG

VALUE

350

500

150

-55 ~ +150

UNIT

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

SYMBOL

BVCES

ICBO

TEST CONDITIONS

Ic=100µA,IB=0

MIN MAX UNIT

20000

125

VCB=30V,IE=0

VEB=10V,Ic=0

100

Emitter Cut-Off Current

IEBO

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter on Voltage

hFE

VCE=5V,Ic=100mA

Ic=100mA,IB=0.1mA

VCE=5V,Ic=100mA

VCE=5V,Ic=10mA,

f=100MHz

VCE(sat)

VBE(on)

1.5

2.0

MHz

Current Gain Bandwidth Product

Pulse test: Pulse Width<300µs, Duty Cycle=2%

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

QW-R206-038,A

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与MMBTA14相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA14/L99Z	TI	获取价格	1200mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA14/S62Z	TI	获取价格	1200mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA14_10	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14_15	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
MMBTA14-7	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14-7-F	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14-AE3-R	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14G-AE3-R	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14G-X-AL3-R	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR