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MMBTA14

更新时间： 2024-09-26 04:39:27

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	408K
描述
TRANSISTOR（NPN）

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MMBTA14 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT— 23

1. BASE

MMBTA13，14

FEATURES

TRANSISTOR（NPN）

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

2.4

P_CM

0.3W（Tamb=25℃）

1.3

Collector current

I_CM:

0.3A

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 30V

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150

Unit : mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= 100μA， I_E=0

Ic= 100uA， I_B=0

I_E= 100μA， I_c=0

V_CB=30 V , I_E=0

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

I_CBO

0.1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= 10V , I_C=0

V_CE=5V, I_C= 10mA

MMBTA13 5000

MMBTA14 10000

MMBTA13 10000

MMBTA14 20000

h_FE(1)

DC current gain

V_CE=5V, I_C= 100mA

h_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_{CE (sat)}

I_C=100 mA, I_B=0.1mA

V_CE=5V, I_C= 100mA

1.5

2.0

V_BE

V_CE=5V, I = 10mA

Transition frequency

f_T

125

MHz

f=100MHz

* Pulse Test : pulse width≤ 300μs，duty cycle≤ 2%。

Marking : MMBTA13:1M；MMBTA14：1N

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA14/L99Z	TI	获取价格	1200mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA14/S62Z	TI	获取价格	1200mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA14_10	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14_15	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
MMBTA14-7	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14-7-F	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14-AE3-R	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14G-AE3-R	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14G-X-AL3-R	UTC	获取价格	DARLINGTON TRANSISTOR