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MMBTA13-TP-HF

更新时间： 2024-01-10 04:42:54

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美微科 - MCC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	289K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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MMBTA13-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	10000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	最大关闭时间（toff）：	285 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMBTA13-TP-HF 数据手册

M C C

MMBTA13

MMBTA14

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Operating And Storage Temperatures –55^OC to +150^OC

R_θJAis 556^OC/W (Mounted on FR-5 PCB 1.0” x0.75” x0.062” )

Capable of 225mWatts of Power Dissipation

NPN Darlington

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Amplifier Transistor

•

Marking: MMBTA13 ---K2D; MMBTA14 ---K3D

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

Vdc

(I =100uAdc, I_B=0)

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_C

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Current-Continuous

Vdc

300

mAdc

nAdc

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB=30Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

100

I_EBO

nAdc

(V_EB=10Vdc, I =0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

MMBTA13

MMBTA14

(I =10mAdc, V_CE=5.0Vdc)

5000

10000

DIMENSIONS

INCHES

MIN

MMBTA13

MMBTA14

V_CE(sat)

(I =150mAdc, V_CE=1.0Vdc)

10000

20000

DIM

MAX

.120

104

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I =100mAdc, I =0.1mAdc)

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

1.5

2.0

Vdc

V_BE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I =100mAdc,V_CE=5.0Vdc)

.100

1.12

.180

.51

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

.085

.37

Current Gain-Bandwidth Product

(I =10mAdc, V_CE=5.0Vdc, f=100MHz)

125

MHz

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

C_obo

Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

8.0

ibo

Input Capacitance

(V_BE=0.5Vdc, I_C=0, f=1.0MHz)

.035

.900

inches

.079

2.000

SWITCHING CHARACTERISTICS

t_d

t_r

Delay Time

Rise Time

(V_CC=30Vdc, V_BE=0.5Vdc

I_C=150mAdc, I_B1=15mAdc)

225

t_s

Storage Time

(V_CC=30Vdc, I =150mAdc

.037

.950

t_f

Fall Time

I_B1=I_B2=15mAdc)

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 5

Revision: B

2013/01/01

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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