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MMBTA13-TP-HF

更新时间： 2024-11-18 20:05:59
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 289K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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MMBTA13-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.14最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBTA13-TP-HF 数据手册

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M C C  
MMBTA13  
MMBTA14  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
·
Operating And Storage Temperatures –55OC to +150OC  
RθJA is 556OC/W (Mounted on FR-5 PCB 1.0” x0.75” x0.062” )  
Capable of 225mWatts of Power Dissipation  
NPN Darlington  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Amplifier Transistor  
•
Marking: MMBTA13 ---K2D; MMBTA14 ---K3D  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
SOT-23  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
A
OFF CHARACTERISTICS  
D
C
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
30  
Vdc  
(I =100uAdc, IB=0)  
C
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IC  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Current-Continuous  
30  
10  
Vdc  
Vdc  
B
C
E
B
300  
mAdc  
nAdc  
F
E
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
100  
100  
G
H
J
IEBO  
nAdc  
(VEB=10Vdc, I =0)  
C
K
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain*  
MMBTA13  
MMBTA14  
(I =10mAdc, VCE=5.0Vdc)  
C
5000  
10000  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
MMBTA13  
MMBTA14  
VCE(sat)  
(I =150mAdc, VCE=1.0Vdc)  
10000  
20000  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
104  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
NOTE  
C
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =100mAdc, I =0.1mAdc)  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
1.5  
2.0  
Vdc  
Vdc  
C
B
VBE(sat)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =100mAdc,VCE=5.0Vdc)  
C
F
G
H
J
.100  
1.12  
.180  
.51  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
.085  
.37  
Current Gain-Bandwidth Product  
K
(I =10mAdc, VCE=5.0Vdc, f=100MHz)  
125  
MHz  
pF  
C
Suggested Solder  
Pad Layout  
.031  
.800  
Cobo  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
8.0  
15  
C
ibo  
Input Capacitance  
(VBE=0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz)  
.035  
.900  
pF  
inches  
.079  
2.000  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
mm  
td  
tr  
Delay Time  
Rise Time  
(VCC=30Vdc, VBE=0.5Vdc  
IC=150mAdc, IB1=15mAdc)  
10  
25  
225  
ns  
ns  
ns  
ts  
Storage Time  
(VCC=30Vdc, I =150mAdc  
C
.037  
.950  
tf  
Fall Time  
IB1=IB2=15mAdc)  
60  
ns  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 5  
Revision: B  
2013/01/01  
12345

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