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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBTA13LT1
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MMBTA13LT1

更新时间： 2024-01-19 22:13:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 238K
描述
Darlington Amplifier Transistors

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MMBTA13LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.63
Samacsys Description：Darlington NPN 30V 300mA HFE:10K SOT23 ON Semi MMBTA13LT1G Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz

MMBTA13LT1 数据手册

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by MMBTA13LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR 3  
*Motorola Preferred Device  
BASE  
1
3
EMITTER 2  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
V
CES  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
V
V
30  
Vdc  
CBO  
Emitter–Base Voltage  
10  
Vdc  
EBO  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
300  
mAdc  
C
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBTA13LT1 = 1M; MMBTA14LT1 = 1N  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
30  
—
—
—
Vdc  
nAdc  
nAdc  
(BR)CES  
(I = 100 Adc, V  
C BE  
= 0)  
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
100  
100  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
EB  
1. FR–5 = 1.0  
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
C
0.75 0.062 in.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
12345678

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MMBTA13LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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