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MMBTA13 PDF预览

MMBTA13

更新时间： 2024-11-19 22:54:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 167K
描述
NPN Darlington Amplifier Transistor

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MMBTA13 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.14Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：10000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

MMBTA13 数据手册

 浏览型号MMBTA13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBTA13的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
MMBTA13  
MMBTA14  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
·
·
·
Operating And Storage Temperatures –55OC to 150OC  
NPN Darlington  
Amplifier Transistor  
R
qJA is 556OC/W (Mounted on FR-5 PCB 1.0”x0.75”x0.062”)  
Capable of 225mWatts of Power Dissipation  
Marking Code: MMBTA13 ----K2D; MMBTA14 ---- 1N  
SOT-23  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
A
D
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
30  
Vdc  
B
C
(I =100uAdc, IB=0)  
C
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IC  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Current-Continuous  
30  
10  
Vdc  
Vdc  
F
E
300  
mAdc  
nAdc  
G
H
J
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
100  
100  
K
IEBO  
nAdc  
Collector  
(VEB=10Vdc, I =0)  
C
Base  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain*  
Emitter  
MMBTA13  
MMBTA14  
(I =10mAdc, VCE=5.0Vdc)  
C
5000  
10000  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.110  
MM  
MMBTA13  
MMBTA14  
VCE(sat)  
(I =150mAdc, VCE=1.0Vdc)  
10000  
20000  
DIM  
A
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
NOTE  
C
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
B
.083  
.047  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =100mAdc, I =0.1mAdc)  
C
D
E
1.5  
2.0  
Vdc  
Vdc  
C
B
.035  
.070  
.018  
1.78  
.45  
VBE(sat)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =100mAdc,VCE=5.0Vdc)  
C
F
G
H
J
.0005  
.035  
.003  
.013  
.89  
.085  
.37  
.100  
1.12  
.180  
.51  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
K
.015  
(I =10mAdc, VCE=5.0Vdc, f=100MHz)  
125  
MHz  
pF  
C
Suggested Solder  
Pad Layout  
Cobo  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
8.0  
15  
.031  
.800  
C
ibo  
Input Capacitance  
(VBE=0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz)  
.035  
.900  
pF  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
.079  
2.000  
inches  
mm  
td  
Delay Time  
(VCC=30Vdc, VBE=0.5Vdc  
10  
25  
225  
ns  
ns  
ns  
tr  
Rise Time  
IC=150mAdc, IB1=15mAdc)  
ts  
Storage Time  
(VCC=30Vdc, I =150mAdc  
C
tf  
Fall Time  
IB1=IB2=15mAdc)  
60  
ns  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1234

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MMBTA13 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMMT38CTA DIODES

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