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MMBTA13

更新时间： 2024-06-27 12:10:49
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合科泰 - HOTTECH /
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4页 462K
描述
SOT-23

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MMBTA13 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.14最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBTA13 数据手册

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MMBTA13  
DARLINGTON TRANSISTOR (NPN)  
FEATURES  
Complementary to MMBTA63  
High Current Gain  
Ideal for Medium Power Amplification and Switching  
Surface Mount device  
SOT-23  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic. UL flammability  
Classification Rating: 94V-0  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
30  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
30  
V
Emitter-Base Voltage  
10  
V
Collector Current  
300  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Collector Power Dissipation  
PC  
300  
RθJA  
TJ  
Thermal Resistance From Junction To Ambient  
Junction Temperature  
417  
150  
Storage Temperature  
TSTG  
-55 ~+150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
Min  
30  
Typ Max Unit  
Conditions  
IC=100μA，IE=0  
I =100μA I =0  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V
V
30  
，
C
B
10  
V
μ
IE=100μA，IC=0  
VCB=30V, IE=0  
ICBO  
*
0.1  
0.1  
A
A
μ
Emitter cut-off current  
VEB=10V, IC=0  
IEBO  
*
VCE=5V, IC=10mA  
VCE=5V, IC=100mA  
hFE1  
hFE2  
*
*
5000  
DC current gain  
10000  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE*  
fT  
*
1.5  
2
V
IC=100mA，IB=0.1mA  
IC=100mA，IB=0.1mA  
VCE=5V, IC=100mA  
VCE=5V,IC=10mA,f=100  
VCB=10V, IE=0, f=1  
*
V
V
2
Transition frequency  
125  
MHz  
pF  
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
12  
MHz  
*Pulse test: pulse width≤300μs,duty cycle≤2%.  
1 / 4  
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD  
E-mail:hkt@heketai.com  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
MMBTA13-13 DIODES

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MMBTA13-3L BL Galaxy Electrical

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 		30V,0.3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

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