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MMBFJ211 PDF预览

MMBFJ211

更新时间： 2024-11-25 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 射频放大器
页数 文件大小 规格书
6页 199K
描述
N-Channel RF Amplifier

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MMBFJ211 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：7.91
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ211 数据手册

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MMBFJ210  
MMBFJ211  
MMBFJ212  
J210  
J211  
J212  
G
S
TO-92  
G
S
SOT-23  
Mark: 62V / 62W / 62X  
D
NOTE: Source & Drain  
are interchangeable  
D
N-Channel RF Amplifier  
This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and  
applications where Process 50 is not adequate. Sufficient  
gain and low noise for sensitive receivers. Sourced from  
Process 90.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA= 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VDG  
Drain-Gate Voltage  
25  
- 25  
V
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
IGF  
Forward Gate Current  
10  
mA  
5
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
TJ ,Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA= 25°C unless otherwise noted  
Max  
Symbol  
Characteristic  
Units  
J210-212  
*MMBFJ210-212  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
350  
2.8  
125  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
357  
556  
°C/W  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
J210/J211/J212/MMBFJ210/J211/J212, Rev A  
123456

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MMBFJ211 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SST5485-E3 VISHAY

功能相似

 TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN, FET RF

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBFJ211D87Z TI

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 		RF SMALL SIGNAL
MMBFJ211L99Z TI

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 		Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB
MMBFJ212 FAIRCHILD

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 		N-Channel RF Amplifier
MMBFJ212D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
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