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MMBFJ211 PDF预览

MMBFJ211

更新时间： 2024-11-27 11:13:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 361K
描述
N 沟道 RF 晶体管

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MMBFJ211 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：43 weeks 1 day风险等级：0.92
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ211 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
N-Channel RF Amplifier  
J211, MMBFJ211  
1. Drain  
2. Source  
3. Gate  
Description  
1
2
3
This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and  
applications where process 50 is not adequate. Sufficient gain and  
low−noise for sensitive receivers. Sourced from process 90.  
Bent Lead  
Tape & Reel  
Ammo Packing  
TO−92 3  
CASE 135AR  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted) (Notes 1, 2)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Gate Voltage  
Value  
25  
Unit  
V
V
DG  
G
V
I
Gate−Source Voltage  
Forward Gate Current  
−25  
V
GS  
S
10  
mA  
°C  
NOTE: Source & Drain are  
interchangeable  
GF  
D
T , T  
J
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to 150  
STG  
SOT−23  
CASE 318−08  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady−state limits. onsemi should be consulted on applications  
involving pulsed or low− duty−cycle operations.  
MARKING DIAGRAM  
AJ  
211  
YWW  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Max  
J211  
(Note 3)  
MMBFJ211  
(Note 3)  
62WM  
Symbol  
Parameter  
Total Device Dissipation  
Derate Above 25°C  
Unit  
mW  
P
D
350  
2.8  
225  
1.8  
−
1
J211−D74Z  
MMBFJ211  
mW/°C  
°C/W  
R
q
JC  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
125  
J211, 62W = Device Code  
A
= Assembly Site  
WW  
Y
M
= Work Week Number  
= Year of Production  
= Date Code  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
357  
556  
°C/W  
q
JA  
3. Device mounted on FR−4 PCB 36 mm x 18 mm x 1.5 mm; mounting pad for  
2
the collector lead minimum 6 cm .  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1997  
1
Publication Order Number:  
August, 2022 − Rev. 3  
MMBFJ211/D  
 
1234567...9

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MMBFJ211 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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