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MMBD352

更新时间： 2024-02-10 11:18:14

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鲁光 - LGE		光电二极管
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2页	1087K
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MMBD352 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	1 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MMBD352 数据手册

MMBD352-355

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

SOT-23

Features

Very low capacitance—

Less than 1.0pF@zero V.

Low forward voltage—I_F=10mA.

Power dissipation P_d=300mW

Pb/RoHS Free

Dimensions in inches and (millimeters)

Applications

applications.

Designed primarily for UHF mixer

MMBD354

MMBD355

MMBD352

MMBD353

Ordering Information

Type No.

Marking

Package Code

MMBD352

MMBD353

MMBD354

MMBD355

M5G

M4F

M6H

MJ1

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Limits

7.0

Unit

Continuous reverse voltage

V_R

Power Dissipation

P_d

300

℃/W

℃

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient

Junction and storage temperature

R_θJA

417

T_J,T_STG

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol Min. Typ. Max.

Unit Conditions

Reverse Breakdown Voltage

V_(BR)

V_F

7.0

I_R=100μA

Forward voltage

0.60

I_F=10mA

0.25

V_R=3.0V

V_R=7.0V

Reverse current

I_R

μA

Diode Capacitanc

C_D

1.0

V_R=0V,f=1MHz

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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