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MMBD352

更新时间： 2024-11-04 20:29:39

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鲁光 - LGE		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	1087K
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MMBD352 技术参数

Case Style：	SOT-23	IF(A)：	-
VRRM (V)：	7	IFSM (A)：	-
VF (V)：	0.6	@ IF (A)：	10
Maximum reverse current：	10	TRR(nS)：
class：	Diodes

MMBD352 数据手册

MMBD352-355

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

SOT-23

Features

Very low capacitance—

Less than 1.0pF@zero V.

Low forward voltage—I_F=10mA.

Power dissipation P_d=300mW

Pb/RoHS Free

Dimensions in inches and (millimeters)

Applications

applications.

Designed primarily for UHF mixer

MMBD354

MMBD355

MMBD352

MMBD353

Ordering Information

Type No.

Marking

Package Code

MMBD352

MMBD353

MMBD354

MMBD355

M5G

M4F

M6H

MJ1

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Limits

7.0

Unit

Continuous reverse voltage

V_R

Power Dissipation

P_d

300

℃/W

℃

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient

Junction and storage temperature

R_θJA

417

T_J,T_STG

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol Min. Typ. Max.

Unit Conditions

Reverse Breakdown Voltage

V_(BR)

V_F

7.0

I_R=100μA

Forward voltage

0.60

I_F=10mA

0.25

V_R=3.0V

V_R=7.0V

Reverse current

I_R

μA

Diode Capacitanc

C_D

1.0

V_R=0V,f=1MHz

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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