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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 最大二极管电容： | 1 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.225 W | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBD352LT1G_07 | ONSEMI |
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Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
|
| MMBD352LT3 | ONSEMI |
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Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
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| MMBD352LT3G | ONSEMI |
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Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
|
| MMBD352LT3G | ROCHESTER |
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SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 |
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| MMBD352W | LGE |
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Schottky Barrier Diodes |
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| MMBD352W | PANJIT |
获取价格 |
SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |
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| MMBD352W | WON-TOP |
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SMD |
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| MMBD352WT1 | ONSEMI |
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Dual Shottky Barrier Diode |
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| MMBD352WT1 | LRC |
获取价格 |
Dual Schottky Barrier Diode |
|
| MMBD352W-T1 | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 7V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 |
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