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MMBD352LT1 PDF预览

MMBD352LT1

更新时间： 2024-01-01 18:54:15
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
Dual Hot Carrier Mixer Diodes

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MMBD352LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.68
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS最大二极管电容：1 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
频带：ULTRA HIGH FREQUENCYJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Microwave Mixer Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MMBD352LT1 数据手册

 浏览型号MMBD352LT1的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Dual Hot Carrier Mixer Diodes  
These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are  
suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits.  
• Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts  
• Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ I F = 10 mA  
MMBD352LT1  
MMBD353LT1  
MMBD354LT1  
MMBD355LT1  
3
1
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Continuous Reverse Voltage  
THERMALCHARACTERISTICS  
Characteristic  
V R  
7.0  
V CC  
2
1
CATHODE  
ANODE  
Symbol  
Max  
Unit  
3
Total Device Dissipation FR– 5 Board (1)  
P D  
225  
mW  
CATHODE/ANODE  
T A = 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
MMBD352LT1  
CASE 318–08, STYLE 11  
SOT– 23 (TO–236AB)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
RθJA  
PD  
Alumina Substrate (2) T A = 25°C  
Derate above 25°C  
1
2
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
CATHODE  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
RθJA  
ANODE  
T J ,T stg  
–55 to +150  
3
CATHODE/ANODE  
MMBD352LT1 = M5G; MMBD353LT1 = M4F; MMBD354LT1 = M6H; MMBD355LT1 = MJ1  
MMBD353LT1  
CASE 318–08, STYLE 19  
SOT– 23 (TO–236AB)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Forward Voltage  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
ANODE  
V F  
IR  
—
0.60  
V
1
(I F = 10 mAdc)  
3
2
Reverse Voltage Leakage Current  
(V R = 3.0 V)  
µA  
CATHODE  
ANODE  
—
—
0.25  
10  
(V R = 7.0 V)  
MMBD354LT1  
CASE 318–08, STYLE 9  
SOT– 23 (TO–236AB)  
Capacitance  
C
—
1.0  
pF  
(V R = 0 V, f = 1.0 MHz)  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
CATHODE  
ANODE  
1
3
2
CATHODE  
MMBD355LT1  
CASE 318–08, STYLE 12  
SOT– 23 (TO–236AB)  
MMBD352. 353. 354. 355LT –1/2  
12

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