5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 二极管 > 微波混频二极管> MMBD353LT1
MMBD353LT1 PDF预览

MMBD353LT1

更新时间： 2024-11-04 03:57:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 微波混频二极管
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
Dual Hot Carrier Mixer Diodes

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBD353LT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.60风险等级：5.71
Is Samacsys：N配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：1 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
子类别：Microwave Mixer Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MMBD353LT1 数据手册

 浏览型号MMBD353LT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBD353LT1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBD353LT1的Datasheet PDF文件第4页 
Order this document  
by MMBD352LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable  
also for use in detector and ultra–fast switching circuits.  
•
•
Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts  
Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ I = 10 mA  
F
3
1
2
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
1
2
ANODE  
CATHODE  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
3
CATHODE/ANODE  
Continuous Reverse Voltage  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
V
7.0  
V
CC  
R
MMBD352LT1  
CASE 318–08, STYLE 11  
SOT–23 (TO–236AB)  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
1
2
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
CATHODE  
ANODE  
3
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
CATHODE/ANODE  
P
(2)  
Alumina Substrate  
T
A
= 25°C  
MMBD353LT1  
CASE 318–08, STYLE 19  
SOT–23 (TO–236AB)  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
ANODE  
1
3
MMBD352LT1 = M5G; MMBD353LT1 = M4F; MMBD354LT1 = M6H; MMBD355LT1 = MJ1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
2
CATHODE  
ANODE  
A
MMBD354LT1  
CASE 318–08, STYLE 9  
SOT–23 (TO–236AB)  
Characteristic  
Symb  
ol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Forward Voltage  
(I = 10 mAdc)  
F
V
—
0.60  
V
A
F
CATHODE  
ANODE  
3
1
Reverse Voltage Leakage Current  
I
R
(V = 3.0 V)  
—
—
0.25  
10  
R
2
(V = 7.0 V)  
R
CATHODE  
MMBD355LT1  
CASE 318–08, STYLE 12  
SOT–23 (TO–236AB)  
Capacitance  
(V = 0 V, f = 1.0 MHz)  
R
C
—
1.0  
pF  
1. FR–5 = 1.0  
2. Alumina = 0.4  
0.75 0.062 in.  
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
REV 2  
Motorola, Inc. 1997  
1234

中文翻译

下载PDF

与MMBD353LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD353LT1G ONSEMI

获取价格

 		Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD353LT1G ROCHESTER

获取价格

 		SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3
MMBD353LT3 ONSEMI

获取价格

 		Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD353LT3G ONSEMI

获取价格

 		Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD353W PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE
MMBD354 PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE
MMBD354 LGE

获取价格

 		暂无描述
MMBD354 WON-TOP

获取价格

 		SMD
MMBD354L MOTOROLA

获取价格

 		Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN
MMBD354LT1 ONSEMI

获取价格

 		Dual Hot Carrier Mixer Diodes

与MMBD353LT1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证