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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.60 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.84 |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 最大二极管电容： | 1 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Microwave Mixer Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBD354LT1G | ONSEMI |
功能相似  |
Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
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| MMBD354LT1 | ONSEMI |
功能相似 |
Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBD354LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
|
| MMBD354LT1G | ROCHESTER |
获取价格 |
SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 |
|
| MMBD354W | PANJIT |
获取价格 |
SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |
|
| MMBD355 | PANJIT |
获取价格 |
SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |
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| MMBD355 | LGE |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MMBD355 | WON-TOP |
获取价格 |
SMD |
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| MMBD355LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
|
| MMBD355LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
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| MMBD355LT1 | LRC |
获取价格 |
Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
|
| MMBD355LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
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