5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 二极管 > 微波混频二极管> MMBD353LT1G
MMBD353LT1G PDF预览

MMBD353LT1G

更新时间： 2024-02-15 23:58:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 微波混频二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 94K
描述
Dual Hot Carrier Mixer Diodes

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBD353LT1G 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71Is Samacsys：N
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS最大二极管电容：1 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
频带：ULTRA HIGH FREQUENCYJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：2
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.225 W
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MMBD353LT1G 数据手册

 浏览型号MMBD353LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBD353LT1G的Datasheet PDF文件第3页 
MMBD352LT1,  
MMBD353LT1,  
MMBD354LT1,  
MMBD355LT1  
Dual Hot Carrier Mixer  
Diodes  
http://onsemi.com  
These devices are designed primarily for UHF mixer applications  
but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching  
circuits.  
3
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
1
2
Features  
• Very Low Capacitance − Less Than 1.0 pF @ Zero V  
1
2
• Low Forward Voltage − 0.5 V (Typ) @ I = 10 mA  
ANODE  
CATHODE  
F
3
• Pb−Free Packages are Available  
CATHODE/ANODE  
MMBD352LT1  
STYLE 11  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
2
Continuous Reverse Voltage  
V
R
7.0  
V
CC  
CATHODE  
ANODE  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
CATHODE/ANODE  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
MMBD353LT1  
STYLE 19  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
1 ANODE  
2 ANODE  
3
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Total Device Dissipation Alumina  
R
556  
°C/W  
q
JA  
CATHODE  
P
D
MMBD354LT1  
STYLE 9  
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
1 CATHODE  
2 CATHODE  
T , T  
J
−55 to +150  
ANODE 3  
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
MMBD355LT1  
STYLE 12  
MARKING DIAGRAM  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
Mxx M G  
A
(EACH DIODE)  
G
1
Rating  
Symbol Min Max  
Unit  
Mxx = Device Code  
Forward Voltage  
V
−
0.60  
V
F
M
= Date Code*  
(I = 10 mAdc)  
F
G
= Pb−Free Package  
Reverse Leakage Current (Note 3)  
I
R
mA  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
(V = 3.0 V)  
−
−
0.25  
10  
R
(V = 7.0 V)  
R
Capacitance  
C
−
1.0  
pF  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking, and shipping information in the  
package dimensions section on page 2 of this data sheet.  
(V = 0 V, f = 1.0 MHz)  
R
3. For each individual diode while the second diode is unbiased.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
September, 2006 − Rev. 6  
MMBD352LT1/D  
 
123

中文翻译

下载PDF

MMBD353LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBD101LT1G ONSEMI

类似代替

 Schottky Barrier Diodes
MMBD452LT1G ONSEMI

类似代替

 Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MMBD353LT1 ONSEMI

类似代替

 Dual Hot Carrier Mixer Diodes

与MMBD353LT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD353LT3 ONSEMI

获取价格

 		Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD353LT3G ONSEMI

获取价格

 		Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD353W PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE
MMBD354 PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE
MMBD354 LGE

获取价格

 		暂无描述
MMBD354 WON-TOP

获取价格

 		SMD
MMBD354L MOTOROLA

获取价格

 		Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN
MMBD354LT1 ONSEMI

获取价格

 		Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD354LT1 LRC

获取价格

 		Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD354LT1 MOTOROLA

获取价格

 		Dual Hot Carrier Mixer Diodes

与MMBD353LT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证