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Datasheet > 二极管 > 微波混频二极管> MMBD353LT1G
MMBD353LT1G PDF预览

MMBD353LT1G

更新时间： 2024-11-04 03:57:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 微波混频二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 94K
描述
Dual Hot Carrier Mixer Diodes

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MMBD353LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.5
Is Samacsys：N配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：1 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Microwave Mixer Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MMBD353LT1G 数据手册

 浏览型号MMBD353LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBD353LT1G的Datasheet PDF文件第3页 
MMBD352LT1,  
MMBD353LT1,  
MMBD354LT1,  
MMBD355LT1  
Dual Hot Carrier Mixer  
Diodes  
http://onsemi.com  
These devices are designed primarily for UHF mixer applications  
but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching  
circuits.  
3
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
1
2
Features  
• Very Low Capacitance − Less Than 1.0 pF @ Zero V  
1
2
• Low Forward Voltage − 0.5 V (Typ) @ I = 10 mA  
ANODE  
CATHODE  
F
3
• Pb−Free Packages are Available  
CATHODE/ANODE  
MMBD352LT1  
STYLE 11  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
2
Continuous Reverse Voltage  
V
R
7.0  
V
CC  
CATHODE  
ANODE  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
CATHODE/ANODE  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
MMBD353LT1  
STYLE 19  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
1 ANODE  
2 ANODE  
3
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Total Device Dissipation Alumina  
R
556  
°C/W  
q
JA  
CATHODE  
P
D
MMBD354LT1  
STYLE 9  
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
1 CATHODE  
2 CATHODE  
T , T  
J
−55 to +150  
ANODE 3  
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
MMBD355LT1  
STYLE 12  
MARKING DIAGRAM  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
Mxx M G  
A
(EACH DIODE)  
G
1
Rating  
Symbol Min Max  
Unit  
Mxx = Device Code  
Forward Voltage  
V
−
0.60  
V
F
M
= Date Code*  
(I = 10 mAdc)  
F
G
= Pb−Free Package  
Reverse Leakage Current (Note 3)  
I
R
mA  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
(V = 3.0 V)  
−
−
0.25  
10  
R
(V = 7.0 V)  
R
Capacitance  
C
−
1.0  
pF  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking, and shipping information in the  
package dimensions section on page 2 of this data sheet.  
(V = 0 V, f = 1.0 MHz)  
R
3. For each individual diode while the second diode is unbiased.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
September, 2006 − Rev. 6  
MMBD352LT1/D  
 
123

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