MMBD353LT1

更新时间： 2024-02-19 19:38:10

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安森美 - ONSEMI		二极管
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Dual Hot Carrier Mixer Diodes

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MMBD353LT1 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	1 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.225 W
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

MMBD353LT1 数据手册

ON Semiconductort

MMBD352LT1

MMBD353LT1

MMBD354LT1

MMBD355LT1

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

These devices are designed primarily for UHF mixer applications

but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching

circuits.

• Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts

• Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ I = 10 mA

ANODE

CATHODE

CATHODE/ANODE

MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)

MMBD352LT1

CASE 318–08, STYLE 11

SOT–23 (TO–236AB)

Rating

Symbol

Value

Unit

Continuous Reverse Voltage

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

7.0

Symbol

Max

Unit

CATHODE

ANODE

(1)

Total Device Dissipation FR–5 Board

225

CATHODE/ANODE

= 25°C

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

MMBD353LT1

CASE 318–08, STYLE 19

SOT–23 (TO–236AB)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

qJA

(2)

Alumina Substrate

= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

ANODE

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

DEVICE MARKING

qJA

CATHODE

T , T

J stg

–55 to +150

ANODE

MMBD354LT1

MMBD352LT1 = M5G; MMBD353LT1 = M4F; MMBD354LT1 = M6H; MMBD355LT1 = MJ1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)

CASE 318–08, STYLE 9

SOT–23 (TO–236AB)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Forward Voltage

Symbol

Min

Max

Unit

CATHODE

ANODE

—

0.60

(I = 10 mAdc)

CATHODE

Reverse Voltage Leakage Current (Note 3.)

MMBD355LT1

CASE 318–08, STYLE 12

SOT–23 (TO–236AB)

(V = 3.0 V)

—

0.25

(V = 7.0 V)

Capacitance

—

1.0

(V = 0 V, f = 1.0 MHz)

1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.

3. For each individual diode while the second diode is unbiased.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

MMBD352LT1/D

November, 2001 – Rev. 4

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBD353LT1G	ONSEMI	类似代替	Dual Hot Carrier Mixer Diodes

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD353LT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD353LT1G	ROCHESTER	获取价格	SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3
MMBD353LT3	ONSEMI	获取价格	Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD353LT3G	ONSEMI	获取价格	Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD353W	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE
MMBD354	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE
MMBD354	LGE	获取价格	暂无描述
MMBD354	WON-TOP	获取价格	SMD
MMBD354L	MOTOROLA	获取价格	Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN
MMBD354LT1	ONSEMI	获取价格	Dual Hot Carrier Mixer Diodes

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