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MMBD352W

更新时间： 2024-01-22 19:24:05

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强茂 - PANJIT		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
3页	89K
描述
SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE

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MMBD352W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	1 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MMBD352W 数据手册

MMBD101W/MMBD352W/MMBD353W/MMBD354W/

MMBD355W

SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE

SOT-323

Unit: inch (mm)

VOLTAGE

7.0 Volts

POWER

200 mW

FEATURES

• Low Capacitance,Minimizing Insertion Losses in VHF

Applications

.087(2.2)

.070(1.8)

• Low V

: 0.5V (Typ) at I

=10mA

.054(1.35)

.045(1.15)

• Extremely Fast Switching Speed

•

Pb free product are available : 99% Sn above can meet RoHS

environment substance directive request

.006(.15)

.002(.05)

.056(1.40)

.047(1.20)

.004(.10)MAX.

MECHANICALDATA

Case : SOT-323, Plastic

.016(.40)

.078(.20)

Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Approx weight : 0.008 gram

MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

MMBD101W

101

MMBD352W

352

MMBD353W

353

MMBD354W MMBD355W

UNITS

Marking Code

354

355

Reverse Voltage

^OC

Forward Power Dissipation

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Circuit Figure

200

-55 to 125

-55 to 150

STG

^OC

SERIES

(Rev)

COMMON

CATHODE

COMMON

ANODE

SINGLE

SERIES

THERMALCHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

500

UNITS

^OC/W

(1)

Thermal Resistance , Junction to Ambient

RθJA

Note 1. FR-5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in

COMMON ANODE

COMMON CATHODE

SERIES(Rev)

SERIES

SINGLE

REV.0-DEC.29.2005

PAGE . 1

12 3

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与MMBD352W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD352WT1	ONSEMI	获取价格	Dual Shottky Barrier Diode
MMBD352WT1	LRC	获取价格	Dual Schottky Barrier Diode
MMBD352W-T1	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 7V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
MMBD352WT1_05	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diode
MMBD352WT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diode
MMBD352W-T1-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 7V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-
MMBD352WT3	ONSEMI	获取价格	SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, SC-70, 3 PIN
MMBD353	ONSEMI	获取价格	DIODE SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AA, CASE 318-02, 3 PIN, Microwave Mixer Diode
MMBD353	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE
MMBD353	LGE	获取价格	Dual Hot Carrier Mixer Diodes