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MMBD352WT1 PDF预览

MMBD352WT1

更新时间： 2024-02-04 23:09:49
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 47K
描述
Dual Schottky Barrier Diode

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MMBD352WT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.71
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1793133Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SC-70 (SOT-323)Samacsys Released Date：2020-05-13 06:28:19
Is Samacsys：N配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：1 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Microwave Mixer Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MMBD352WT1 数据手册

 浏览型号MMBD352WT1的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Dual Schottky Barrier Diode  
MMBD352WT1  
3
These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are  
suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits.  
• Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts  
• Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ IF = 10 mA  
1
2
CASE 419–02 , STYLE 9  
SOT–323 / SC – 70  
2
1
CATHODE  
ANODE  
3
CATHODE/ANODE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Continuous Reverse Voltage VR  
7.0  
VCC  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)  
TA = 25°C  
Symbol  
Max  
Unit  
PD  
200  
mW  
Derate above 25°  
1.6  
625  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
RθJA  
PD  
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate(2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
RθJA  
417  
TJ, Tstg  
–55 to +150  
MMBD352WT1 = M5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Forward Voltage  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V
VF  
IR  
—
0.60  
(IF = 10 mAdc)  
Reverse Voltage Leakage Current  
(VR = 3.0 V)  
µA  
—
—
—
0.25  
10  
(VR = 7.0 V)  
Capacitance  
C
1.0  
pF  
(VR = 0 V, f = 1.0 MHz)  
1. FR–5 = 1.0 × 0.75 × 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 × 0.3 × 0.024 in. 99.5% alumina.  
MMBD352WT1–1/2  
12

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MMBD352WT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBD352WT1G ONSEMI

功能相似

 Dual Schottky Barrier Diode
MMBD352WT1 ONSEMI

功能相似

 Dual Shottky Barrier Diode

与MMBD352WT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD352W-T1 WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 7V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
MMBD352WT1_05 ONSEMI

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 		Dual Schottky Barrier Diode
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